Art. 1
1. Agli effetti della presente direttiva:
In vigore dal 16 dic 1986
a) si intende per « prodotto a semiconduttori » ogni prodotto finito o intermedio
i) consistente in un insieme di materiali che comprende uno strato di materiale semiconduttore e
ii) che contiene uno o più strati composti di materiale conduttore, isolante o semiconduttore, disposti secondo uno schema tridimensionale prestabilito e
iii) destinato a svolgere, esclusivamente o insieme alle altre funzioni, una funzione elettronica;
b) si intende per « topografia » di un prodotto a semiconduttori una serie di disegni correlati, comunque fissati o codificati,
i) rappresentanti lo schema tridimensionale degli strati di cui si compone un prodotto a semiconduttori e
ii) nella qual serie ciascuna immagine riproduce in tutto o in parte una superficie del prodotto a semiconduttori in uno stadio qualsiasi della sua fabbricazione;
c) si intende per « sfruttamento commerciale » la vendita, l'affitto, il leasing o qualsiasi altro metodo di distribuzione commerciale o l'offerta per tali scopi. Tuttavia ai fini dell', paragrafo 4, dell', paragrafo 1, dell', paragrafi 1, 3 e 4, l'espressione « sfruttamento commerciale » non comprende lo sfruttamento in condizioni di riservatezza nel quale non vi sia stata alcuna ulteriore distribuzione ai terzi, a meno che lo sfruttamento della topografia avvenga secondo le condizioni di riservatezza imposte da una misura presa conformemente all'articolo 223, paragrafo 1, lettera b), del trattato.
2. Il Consiglio, deliberando a maggioranza qualificata su proposta della Commissione, può modificare il paragrafo 1, lettera a), punti i) e ii), per adattarli al progresso tecnico.
CAPITOLO 2
Tutela delle topografie dei prodotti a semiconduttori
Storico versioni
Questo articolo non ha mai subito modificazioni dalla sua pubblicazione.
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